10-STM32F1 -存储介质（1）FLASH
创始人
2025-05-30 15:26:26

10-STM32F1 -FLASH

Flash（W25Q64）

类型：

Flash分为NOR Flash和NAND Flash。W25Q64为NOR Flash。

  • NOR Falsh 支持字节写入。
  • NAND Flash必须以块或扇区为单位进行读写。

存储特性：

  1. 在写入数据之前必须先擦除，擦除时把所有位置1。
  2. 写入数据时，只能将所需要修改的数据数据0置0，数据1不变（示例：0x9D->0xFF->0xBD)。
  3. Flash擦除时必须按最小单位擦除（一般为扇区）。

W25Q64

  • SPI，Dual SPI，QUAD SPI。
  • SPI速率最高支持80Mhz。

Block&Seator（块和扇区）

命名规则：W25Q64,64 = 64Mbit = 8MB = 128 * 64 KB。

Flash分为块（Block）和扇区（sector）存储。

Flash（W25Q64：8MB）分为0~127个Block，每个Block大小为64KB。

每个Block分为0~15个Seator。每个扇Seator为4KB。

在这里插入图片描述

Instruction set（指令）

状态寄存器

Flash具有状态寄存器（Status Register）通过读取状态寄存器了解Flash状态。

在这里插入图片描述

指令集

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

常用指令集示例

读取ID

（Manufacturer ID / Device ID ,Unique ID & JEDEC ID）

在这里插入图片描述

  • Manufacturer ID/Device ID: Instruction(90h)+Address(000000h)+Manufacturer ID(EFh) + (Device ID(ID7~ID0,16h))
  • Unique ID:Instruction(4Bh)+dummy1+dummy2+dummy3+dummy4+(Unique ID(ID63~ID0))
  • JEDEC ID:Instruction(9Fh)+（Manufacturer ID(EFh)）+ (Memory Type (ID15-ID8,40h)) + (Capacity (ID7-ID0,17h))

Flash JEDEC ID:0xEF4017，Manufacturer ID：0xEF16h

读取状态寄存器：
  • Read Status Register1:Instruction(05h)+(Status Register1(S7~S0))
  • Read Status Register2:Instruction(35h)+(Status Register1(S15~S0))
擦除扇区
  • Sector Erase:Instruction(05h)+24-Bit Address
页写入
  • Page Program:Instruction(05h)+24-Bit Address+Data Byte 1 …+ Data Byte 256

页写入可以写入1Byte~256Byte，只要保证写入的数据地址已经被擦除。

读取数据
  • Read Data：Instruction(03h)+24-Bit Address+ Data Out 1 + Data Out 2 + …

读取数据允许从内存中依次读取一个或多个数据字节

低功耗处理
  • Power-Down：Instruction(B9h)
  • Release Power down：Instruction(ABh)
低功耗处理
  • Power-Down：Instruction(B9h)
  • Release Power down：Instruction(ABh)
词库加载错误:未能找到文件“E:\highferrum_mysql\Configuration\Dict_Stopwords.txt”。

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