本报（chinatimes.net.cn）记者卢晓 北京报道

历时7个多月，国产DRAM龙头厂商长鑫科技正式登陆科创板。7月27日，长鑫科技以49元收盘，涨幅465.82%，总市值3.28万亿元，超越工商银行成为A股市值“一哥”。

这场万众瞩目的上市，远不只是一家科技公司的资本盛宴。它标志着中国硬科技企业在“卡脖子”领域探索出了一条从技术突破到资本定价的完整路径，更是国产存储芯片产业发展史上的重要支点。

市值超过3万亿元

长鑫科技上市首日，一场打新盛宴火热上演。7月27日，其以49.5元开盘，盘中最高涨至55.03元，较发行价上涨5.35倍。

作为A股新晋市值“一哥”，长鑫科技的交易对大盘影响显著。公开数据显示，7月27日沪深两市成交额为2.08万亿元，其中长鑫科技成交额达1411.87亿元，占全市场成交额的6.8%，位居两市第一，同时成为A股历史上首只单日成交额突破千亿元的个股。

本次上市，长鑫科技各大股东盈利颇丰。

合肥国资通过清辉集电、长鑫集成等主体合计持有公司约36.79%的股份，IPO后持股约221.38亿股，上市首日对应账面市值约1.08万亿元，浮盈超1万亿元。

公司创始人、董事长朱一明，通过清辉集电、合肥集鑫肆拾壹号及兆易创新等平台合计持股约15.9亿股，按7月27日收盘价计算，持股市值约779亿元。

此外，阿里通过阿里云计算、阿里网络两家主体合计持有公司约4.97%股份，累计投入约76亿元。按当日收盘价计算，对应持股市值约1476亿元，浮盈约1400亿元。DeepSeek创始人梁文锋则通过旗下幻方量化153只基金、九章资管41只基金，合计获配约2025万股，获配金额约1.75亿元，首日浮盈约8.27亿元。

打新盛宴背后，长鑫科技刷新了科创板多项纪录：自2025年12月30日IPO申请获受理，至2026年7月27日正式挂牌，全程用时不足8个月；其超额配售选择权行使前约579亿元的预计募集资金，也创下科创板最高融资纪录。

3万亿市值巨头登陆A股，将对资本市场产生什么影响？资深投行人士王骥跃曾向《华夏时报》记者表示，长鑫科技是具备千亿级利润规模的世界级企业，将改变A股权重结构。当前存储产品供不应求，市场大概率会给出乐观估值。他同时认为，上市初期长鑫科技会对资本市场盘面形成明显影响，“一段时间后日交易量就会稳定下来，这类企业后续换手率会维持在较低水平。”

撬动全球DRAM格局生变

资本市场的狂欢，离不开产业逻辑的支撑。市场青睐长鑫科技背后，核心在于它是中国唯一实现DRAM规模化量产的本土制造龙头。

长期以来，全球DRAM市场由三星电子、SK海力士、美光科技三家巨头垄断，合计占据超过90%的市场份额。如今，这一行业格局正被长鑫科技逐步打破。

从2016年6月成立到2026年7月上市，长鑫科技走过了整整十年的创业历程。招股书显示，公司已实现第一代至第四代工艺技术平台量产，形成DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X的全系列产品布局。据Omdia统计，2025年第二季度，长鑫科技DRAM销售额全球市占率为3.97%，位列全球第四；2026年第一季度，公司市占率进一步提升至8%。

有业内人士在接受《华夏时报》记者采访时表示，随着长鑫科技产能持续释放，海外巨头长期以来的供给主导地位和行业原有定价体系都受到冲击，同时长鑫科技的规模化量产还带动了存储全产业链的国产化进程，并补齐国内存储产业在制造环节的关键短板。

需要提及的是，自2025年下半年起，存储芯片进入由AI驱动的超级景气周期，长鑫科技业绩随之大幅增长。

2026年第一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。公司预计2026年上半年实现营收1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。

作为对比，公开数据显示，长鑫科技截至2025年末累计亏损366.5亿元，2025年第四季度实现单季扭亏。

狂欢之后如何穿越巨头围猎

上市意味着长鑫科技进入了一个全新的发展阶段。

招股说明书显示，长鑫科技本次募集资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发等项目，旨在进一步提升先进制造能力和创新水平，同时带动设备、材料、零部件等产业链协同发展。

长鑫科技方面也对《华夏时报》记者表示，未来公司将依托资本市场平台，坚持创新，持续突破核心技术，加快先进制造能力建设和产品迭代升级，不断提升全球市场竞争力，努力建设具有国际影响力的世界一流存储科技企业。

不过，长鑫科技与全球存储巨头之间仍存在明显差距。截至7月27日收盘，长鑫科技3.28万亿元市值，仅为三星电子当日市值（约7.29万亿元）的45%、SK海力士当日市值（约5.91万亿元）的55%。与此同时，海外存储巨头正持续将产能向高毛利的HBM等AI存储产品倾斜，并相继启动大规模DRAM扩产计划，行业竞争持续加剧。

2026年6月29日，韩国政府宣布，三星电子与SK海力士两家存储巨头将在韩国西南部投入约800万亿韩元（约合5180亿美元），建设四座半导体晶圆厂，目标在五年内将DRAM生产能力翻倍。

面对巨头的围堵，长鑫科技如何突围？智参智库特聘专家袁博对《华夏时报》记者分析，关键在于如何用工程技术弥补制程上的不足，以及抓住国产化的历史机遇。依靠国内“基本盘”维持产能利用率、持续扩大国内市场份额，同时避免与国际巨头直接打价格战而陷入被动，是当前最务实的策略。

袁博同时提醒，由于2024年下半年开始的存储芯片市场上行周期导致全球需求旺盛，各大厂商正全面扩大产能。下一轮行业低谷预计在2027年下半年至2028年到来，届时长鑫科技或将面临国内基本盘市场需求下滑、全球巨头发起价格战、自身研发和折旧成本高企等多重挑战。

责任编辑：黄兴利 主编：寒丰