9月7日的长鑫科技（688825.SH）业绩会上，众多投资者追问公司HBM（高带宽内存）的研发进展，不过长鑫科技管理层并未正面回应，仅提及“公司将按照既定的技术路线图和商业计划保持产品与制程工艺的持续迭代”。

HBM产品是将多个DRAM（动态随机存取存储器）内存芯片垂直堆叠并进行高速互连，提供更高的数据吞吐量，缓解传统内存芯片的带宽性能瓶颈，从而使得AI芯片能快速处理工作负载。目前，三星、SK海力士和美光三大“存储巨头”在HBM领域竞争激烈。

长鑫科技未曾披露过自身的HBM业务进展，但相关消息在业内频繁出现。8月底有媒体报道，长鑫科技正在生产HBM3E（第五代高带宽内存），多家国产AI芯片公司已进行测试。长鑫科技管理层在业绩会上未回应该消息。

一位关注中国半导体行业的外资券商分析师近期告诉记者，长鑫科技的HBM3E产品已经送样，“但是否能达到国内客户的需求，以及能多快实现比较稳定的大规模供应，存在不确定性”。

多家国际投行近期纷纷披露长鑫科技HBM的研发进度与前景展望。高盛的分析师在8月24日的研报中写道，长鑫将继续研发并提升其HBM产品的性能，相关贡献预计将从2026年第四季度开始显现，预计长鑫的HBM业务收入占比将从2026年的2%提升至2030年的27%。

摩根士丹利的分析师则在8月26日的一份研报中写道，长鑫有望在2027年生产出约300万至400万颗HBM3E芯片，可支撑约80万至100万颗国产AI芯片，这将使长鑫在中国AI供应链中占据重要战略地位。分析师同时指出，要生产具备竞争力的HBM，需要高良率的先进DRAM芯片、硅通孔（TSV）工艺、先进封装技术等，以及与AI芯片厂商共同进行的测试和认证。因此，仅仅生产出可用的HBM产品，并不足以建立具有商业竞争力的HBM业务。

现阶段，长鑫科技的主流产品线包括DDR（双倍速率同步动态随机存储器）和LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）两类DRAM内存。前者用于服务器、台式电脑、笔记本电脑等终端，后者则面向智能手机、平板电脑等移动设备。8月29日，长鑫科技宣布其最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，首批搭载于小米18 Fold折叠屏手机。

长鑫科技LPDDR6内存产品图。

长鑫科技的市场份额在稳步提升。市场调研机构TrendForce集邦咨询9月7日发布的数据显示，2026年第二季度，长鑫科技在全球DRAM内存市场的营收占比从上季度的7.6%提升至9.5%。

在内存市场供应紧张局面下，长鑫科技的产品也为海外消费电子厂商提供了更多选择。高盛的分析师认为，美国客户有强烈的意愿采用包括长鑫科技在内的所有供应商的产品，尤其是在智能手机和PC应用领域。

对此，长鑫科技总经理赵纶在业绩会上称，公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。

财报显示，2026年上半年，长鑫科技来自境外的收入占主营业务收入的比例为63.84%，较2025年上半年同期的约36.88%实现大幅增长。

采写：南都N视频记者 杨柳